| Le Transistor à effet de champ |
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- Dans un Transistor à Effet de Champ à jonctions (TEC ou FET pour Field Effect Transistor) le courant est créé par le déplacement d'un seul type de Porteurs, Modifié par un Champ électrique appliqué Transversalement au sens de Déplacement des porteurs. Comme sur la figure ci contre. Le FEt peut etre du type Canal N (à gauche) ou du type Canal P (à droite).
- Pour représenter un Transistor à effet de champ sur un schémas d' électronique le symbole utilisé est :
- Les 3 connexions sont appelées : - D = Drain. - S = Source. - G = Grille ou Gate. - Fonctionnement sans polarisation de grille. - On met la Grille à la Masse (comme la Source) et on applique sur le Drain une Tension positive variable. Pour les Faibles valeurs de la tension Drain Source, le Courant entre la Source et le Drain est faible. Le Potentiel dans le canal est pratiquement le même de la Source au Drain.
- La Grille est fortement dopée P, le Canal est dopé N : la ZCE (Zone de Charge d'Espace) s'étend uniquement dans le Canal et elle est d'Epaisseur constante. - Les Porteurs peuvent circuler de la Source vers le Drain dans un Canal d'épaisseur constante, donc la résistance entre Source et le Drain est Constante. - Dans ces conditions (faible tension VD ), le Courant drain ID varie Linéairement en fonction de la Tension VD .. - Pour les Tensions Drain Source plus importantes, le Potentiel dans le Canal est de plus en plus Positif quand on se rapproche du Drain.
- La Jonction Grille-Canal est de plus en plus Polarisée en inverse au fur et à mesure que l'on se rapproche du Drain. Sa Zone désertée s'étend de plus en plus dans le Canal. - Les Porteurs circulent de la Source vers le Drain dans un Canal dont l'épaisseur Diminue au fur et à mesure que l'on se rapproche du Drain. - Dans ces conditions , le Courant drain ID ne varie plus linéairement en fonction de la tension VD .. - Lorsque la Tensions Drain Source atteint une valeur particulière Vp (tension de pincement). Les deux ZCE (celles des Jonctions Grille-canal Supérieure et Inférieure) se rejoignent du côté du Drain. Il y a Pincement du canal.
- Ce phénomène intervient lorsque le Potentiel dans le canal atteint une valeur particulière Vp0 : la tension interne de pincement. - Dans ces conditions , le Courant drain ID atteint une valeur caractéristique le Courant de saturation IDS. - Lorsque la Tensions drain source VD > Vp (tension de pincement).
- Le Point de pincement progresse dans le Canal en direction de la source. La Tension entre le début et la fin de la zone entièrement désertée est : VD - Vp . Compte tenu de la petite taille de cette zone entièrement désertée, il y règne un champ électrique Longitudinal très intense. - On pourrait penser que cette zone empêche les Electrons d'atteindre le Drain. Ce n'est pas le cas car la présence du Champ électrique longitudinal propulse les Electrons présents à l'Entrée de la zone vers le Drain. - En conséquence, le Courant drain est égal au courant crée par les électrons qui se présentent à l'entrée de la zone entièrement désertée donc il est constant et égal à IDS.
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